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Infineon Technologies 英飞凌

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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET MOD 1200V 25A
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替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：1200V
电流 - 连续漏极（id）：25A（Tj）
功率 - 最大值：20mW
丝印：
外壳：
封装：AG-EASY1BM-2
料号：JTG10-3664
包装：
参考价格:￥706.306500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
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替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.6A
功率 - 最大值：1.5W
丝印：(请登录)
外壳：
封装：6-PQFN（2X2）
料号：JTG10-273
包装：
参考价格:￥706.306500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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外壳：
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料号：JTG10-308
包装：
参考价格:￥706.306500
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描述： MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
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料号：JTG10-315
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描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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丝印：
外壳：
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料号：JTG10-345
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
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替代：
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-352
包装：
参考价格:￥706.306500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-357
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参考价格:￥706.306500
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描述： MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
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fet 类型：2 个 N 沟道（双）
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包装： 带卷（TR）
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *功率 - 最大值:20mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:63 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 5.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 15V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A，3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-366
包装：
参考价格:￥706.306500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *功率 - 最大值:20mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:63 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 5.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 15V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A，3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：2.5W
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-368
包装：
参考价格:￥706.306500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *功率 - 最大值:20mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:63 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 5.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 15V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A，3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 9.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
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丝印：
外壳：
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料号：JTG10-369
包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V *电流 - 连续漏极（id）:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *功率 - 最大值:20mW 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:63 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *功率 - 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最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A，3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *功率 - 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最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 9.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 9.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:57nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3450pF @ 10V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：9.2A
功率 - 最大值：2W
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-374
包装：
参考价格:￥706.306500
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7329TRPBF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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